參數(shù)資料
型號： UP04315
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type Silicon PNP epitaxial planar type
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI6-F1, 6 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 106K
代理商： UP04315
Composite Transistors
UP04315
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
1
Publication date: June 2003
SJJ00268BED
For switching/digital circuits
■
Features
Two elements incorporated into one package
(Transistors with built-in resistor)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number
UNR2215
+
UNR2115
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: CB
Internal Connection
Unit: mm
(0.30)
0.10
±
0.02
6
5
4
1
2
3
5
5
0.20
+0.05
1
±
0
0
±
0
0
0
(
1.60
±
0.05
Display at No.1 lead
1
±
0
(
1.00
±
0.05
(0.50)(0.50)
4
Tr1
Tr2
5
6
1
3
2
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V, R
L
=
1 k
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
50
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
I
CEO
0.1
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
0.5
Emitter-base cutoff current (Collector open)
I
EBO
0.01
mA
Forward current transfer ratio
h
FE
160
460
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
0.25
V
Output voltage high level
V
OH
4.9
V
Output voltage low level
V
OL
R
1
0.2
V
Input resistance
30%
10
+
30%
k
Transition frequency
f
T
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
150
MHz
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Tr1
1: Emitter (Tr1)
2: Base (Tr1)
3: Collector (Tr2)
4: Emitter (Tr2)
5: Base (Tr2)
6: Collector (Tr1)
SSMini6-F1 Package
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Tr1
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Collector current
I
C
100
50
mA
Tr2
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Collector current
I
C
100
mA
Overall
Total power dissipation
P
T
125
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
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PDF描述
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