參數(shù)資料
型號： UPA2503TM
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： N溝道MOS場效應晶體管開關
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： UPA2503TM
Data Sheet G16682EJ1V0DS
5
μ
PA2503
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
5
10
15
20
25
-50
0
50
100
150
I
D
= 8.0 A
Pulsed
V
GS
= 4.5 V
10.0 V
T
ch
- Channel Temperature - °C
C
i
,
o
,
r
100
1000
10000
0.1
1
10
100
V
GS
= 0 V
f = 1.0 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT CHARACTERISTICS
t
d
,
r
,
d
,
f
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DD
= 15.0 V
V
GS
= 10.0 V
R
G
= 10
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
I
D
- Drain Current - A
V
G
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
V
DD
= 15.0 V
I
D
= 16.0 A
Q
G
- Gate Charge - nC
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
I
F
0.01
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
GS
= 0 V
Pulsed
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
I
A
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
I
AS
= 16.0 A
E
AS
= 25.6 mJ
V
DD
= 15.0 V
R
G
= 25
V
GS
= 20.0
→
0 V
Starting T
ch
= 25°C
L - Inductive Load - mH
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