參數(shù)資料
型號(hào)： UPA2510
廠商： NEC Corp.
英文描述： P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 155K
代理商： UPA2510
Data Sheet G16683EJ1V0DS
5
μ
PA2510
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
5
10
15
20
25
-50
0
50
100
150
I
D
=
9.0 A
Pulsed
V
GS
=
4.5 V
10.0 V
T
ch
- Channel Temperature - °C
C
i
,
o
,
r
100
1000
10000
-0.1
-1
-10
-100
V
GS
= 0 V
f = 1.0 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT CHARACTERISTICS
t
d
,
r
,
d
,
f
1
10
100
1000
-0.1
-1
-10
-100
V
DD
=
15.0 V
V
GS
=
10.0 V
R
G
= 10
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
I
D
- Drain Current - A
V
G
0
-2
-4
-6
-8
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
DD
=
24.0 V
I
D
=
18.0 A
Q
G
- Gate Charge - nC
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
I
F
0.01
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
GS
= 0 V
Pulsed
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
I
A
-0.1
-1
-10
-100
0.01
0.1
1
10
I
AS
=
18.0 A
E
AS
= 32.4 mJ
V
DD
=
15.0 V
R
G
= 25
V
GS
=
20.0
→
0 V
Starting T
ch
= 25°C
L - Inductive Load - mH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA2650T1E MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
UPA2680T1E MOSFET WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE
UPA2716GR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2717GR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2718GR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA2510TM 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA2520T1H-T1-AT 功能描述:MOSFET N-CH 30V VSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA2520T1H-T2-AT 功能描述:MOSFET N-CH 30V VSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA2521T1H-T1-AT 功能描述:MOSFET N-CH 30V VSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA2521T1H-T2-AT 功能描述:MOSFET N-CH 30V VSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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