參數(shù)資料
型號： UPA2510TM
廠商： NEC Corp.
英文描述： P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： P溝道MOS場效應晶體管開關
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 155K
代理商： UPA2510TM
Data Sheet G16683EJ1V0DS
2
μ
PA2510
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
=
30.0 V, V
GS
= 0 V
1.0
μ
A
Gate Leakage Current
I
GSS
V
GS
=
m
20.0 V, V
DS
= 0 V
m
10.0
μ
A
Gate Cut-off Voltage
Forward Transfer Admittance
Note
V
GS(off)
V
DS
=
10.0 V, I
D
=
1.0 mA
1.0
2.5
V
| y
fs
|
V
DS
=
10.0 V, I
D
=
9.0 A
12
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
R
DS(on)1
V
GS
=
10.0 V, I
D
=
9.0 A
7.5
10.1
m
R
DS(on)2
V
GS
=
4.5 V, I
D
=
9.0 A
9.5
14.0
m
Input Capacitance
C
iss
V
DS
=
10.0 V
3000
pF
Output Capacitance
C
oss
V
GS
= 0 V
940
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
f = 1.0 MHz
500
pF
Turn-on Delay Time
t
d(on)
V
DD
=
15.0 V, I
D
=
9.0 A
12
ns
Rise Time
t
r
V
GS
=
10.0 V
18
ns
Turn-off Delay Time
t
d(off)
R
G
= 10
270
ns
Fall Time
t
f
170
ns
Total Gate Charge
Q
G
V
DD
=
24.0 V
70
nC
Gate to Source Charge
Q
GS
V
GS
=
10.0 V
8
nC
Gate to Drain Charge
Body Diode Forward Voltage
Note
Q
GD
I
D
=
18.0 A
22
nC
V
F(S-D)
I
F
= 18.0 A, V
GS
= 0 V
0.85
V
Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= 18.0 A, V
GS
= 0 V
80
ns
Reverse Recovery Charge
Q
rr
di/dt = 100 A/
μ
s
68
nC
Note
Pulsed: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
R
G
= 25
50
L
V
DD
V
GS
=
20
→
0 V
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DS
Starting T
ch
V
DD
D.U.T.
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
R
G
0
V
GS
(
)
D.U.T.
R
L
V
DD
τ
= 1 s
Duty Cycle
≤
1%
V
GS
Wave Form
V
DS
Wave Form
V
GS
(
)
10%
90%
V
GS
10%
0
V
DS
(
)
90%
90%
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
10%
τ
V
DS
0
t
on
t
off
PG.
PG.
50
D.U.T.
R
L
V
DD
I
G
=
2 mA
相關PDF資料
PDF描述
UPA2510 P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA2650T1E MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
UPA2680T1E MOSFET WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE
UPA2716GR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2717GR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
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