參數(shù)資料
型號： UPA2754GR
廠商： NEC Corp.
英文描述： SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
中文描述： 開關(guān)N溝道功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： UPA2754GR
Data Sheet G15816EJ1V0DS
2
μ
PA2754GR
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C, All terminals are connected.)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
1
μ
A
Gate Leakage Current
I
GSS
V
GS
= ±12 V, V
DS
= 0 V
±10
μ
A
Gate Cut-off Voltage
Note
V
GS(off)
V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA
0.5
1.5
V
Forward Transfer Admittance
Note
| y
fs
|
V
DS
= 10 V, I
D
= 5.5 A
8
16
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
R
DS(on)1
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 5.5 A
11.5
14.5
m
R
DS(on)2
V
GS
= 4.0 V, I
D
= 5.5 A
11.8
15.0
m
R
DS(on)3
V
GS
= 3.1 V, I
D
= 5.5 A
12.7
16.9
m
R
DS(on)4
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 5.5 A
13.9
18.6
m
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= 10 V
1940
pF
Output Capacitance
C
oss
V
GS
= 0 V
385
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
f = 1 MHz
270
pF
Turn-on Delay Time
t
d(on)
V
DD
= 15 V, I
D
= 5.5 A
21
ns
Rise Time
t
r
V
GS
= 4.5 V
45
ns
Turn-off Delay Time
t
d(off)
R
G
= 10
75
ns
Fall Time
t
f
30
ns
Total Gate Charge
Q
G
V
DD
= 24 V
25
nC
Gate to Source Charge
Q
GS
V
GS
= 4.5 V
3
nC
Gate to Drain Charge
Q
GD
I
D
= 11 A
10
nC
Body Diode Forward Voltage
V
F(S-D)
I
F
= 11 A, V
GS
= 0 V
0.81
1.2
V
Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= 11 A, V
GS
= 0 V
47
ns
Reverse Recovery Charge
Q
rr
di/dt = 100 A/
μ
s
41
nC
Note
Pulsed: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
V
GS
= 20
→
0 V
PG.
R
G
= 25
50
D.U.T.
L
V
DD
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
PG.
D.U.T.
R
L
V
DD
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
R
G
PG.
I
G
= 2 mA
50
D.U.T.
R
L
V
DD
I
D
V
DD
I
AS
V
DS
BV
DSS
Starting T
ch
V
GS
0
τ
= 1
s
Duty Cycle
≤
1%
τ
GS
Wave Form
DS
Wave Form
V
GS
V
DS
10%
0
0
90%
90%
90%
V
GS
V
DS
t
on
t
off
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
10%
10%
μ
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UPA2755GR 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
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