參數資料
型號: UPA651TT
廠商: NEC Corp.
英文描述: P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述: P溝道MOS場效應晶體管開關
文件頁數: 6/8頁
文件大小: 74K
代理商: UPA651TT
Data Sheet G16203EJ1V0DS
6
μ
PA651TT
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD
VOLTAGE
I
F
0.01
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
Pulsed
V
GS
= 0 V
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
相關PDF資料
PDF描述
UPA652TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA653TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA672 N-CHANNEL MOS FET ARRAY FOR SWITCHING
UPA672T N-CHANNEL MOS FET ARRAY FOR SWITCHING
UPA678TB P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
相關代理商/技術參數
參數描述
UPA651TT-E1-A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6-WSOF RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA651TT-E2-A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6-WSOF RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA652 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UPA652TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002]
UPA652TT 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA653 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UPA653TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002]