參數(shù)資料
型號： UPA805T-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
中文描述： 微波低噪聲放大器NPN硅外延晶體管，內(nèi)置2個元素迷你模具
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 57K
代理商： UPA805T-T1
μ
PA805T
3
f = 2 GHz
V
CE
= 3 V
NOISE FIGURE
vs. COLLECTOR CURRENT
N
Collector Current I
C
(mA)
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
F
r
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.5
20
1
2
5
10
5
4
3
2
1
0
0.5
20
1
2
5
10
FEED-BACK CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
14
0.5
12
10
8
6
4
2
1
2
5
10
20
5 V
3 V
V
CE
= 1 V
Collector Current I
C
(mA)
G
T
f = 2 GHz
I
2
2
Collector Current I
C
(mA)
12
0.5
10
8
6
4
1
5
10
50
20
2
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
INSERTION GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
5 V
3 V
V
CE
= 1 V
f = 2 GHz
f = 1 MHz
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