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參數(shù)資料
| 型號： | UPA809 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
| 中文描述： | 微波低噪聲放大器NPN硅外延晶體管，內(nèi)置2個元素迷你模具 |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | UPA809 |
μ
PA809T
4
Collector Current l
C
(mA)
1
2
N
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
1
2
3
5
10
3
7
f = 2 GHz
f = 1 GHz
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
1
0.5
F
r
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
1
5
20
f = 1 MHz
10
1.0
0.1
Frequency f (GHz)
10
20
M
I
2
l
MAXIMUM AVAILABLE GAIN / INSERTION
POWER GAIN vs. FREQUENCY
0.1
0.5
1
5
V
CE
= 1 V
I
C
= 5 mA
30
Frequency f (GHz)
N
NOISE FIGURE vs.FREQUENCY
0.1
0.5
2
V
CE
= 1 V
I
C
= 5 mA
1.0
1.5
0.5
MAG
IS
21e
l
2
0
2
V
CE
= 1 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA809TF | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| UPA809TF-T1 | BJT |
| UPA809T | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
| UPA809T-T1 | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
| UPA810 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA809T | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
| UPA809T_99 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| UPA809TF | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| UPA809TF-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:BJT |
| UPA809T-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
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