參數(shù)資料
型號(hào)： UPA810TF
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大小： 53K
代理商： UPA810TF
μ
PA810TC
2
Data Sheet P14550EJ1V0DS00
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
–
–
1.0
μ
A
Emitter Cutoff Current
I
EBO
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
–
–
1.0
μ
A
DC Current Gain
h
FE
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA
Note 1
70
–
140
Gain Bandwidth Product
f
T
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
3.0
4.5
–
GHz
Feedback Capacitance
C
re
V
CB
= 3 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Note 2
–
0.7
1.5
pF
Insertion Power Gain
|S
21e
|
2
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
7.0
9.0
–
dB
Noise Figure
NF
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
–
1.2
2.5
dB
Notes 1.
Pulse Measurement: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2 %
2.
Measured with 3-pin bridge, emitter and case should be connected to guard pin of bridge.
h
FE
CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
75
h
FE
Value
70 to 140
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA812 HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4227 SMALL MINI MOLD
UPA812TFB TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 10V V(BR)CEO | 65MA I(C) | SOT-363
UPA812TFB-T1 TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 10V V(BR)CEO | 65MA I(C) | SOT-363
UPA812T HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4227 SMALL MINI MOLD
UPA812TGB TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 10V V(BR)CEO | 65MA I(C) | SOT-363
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA810TF-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:BJT
UPA810T-T1 功能描述:TRANS NPN HF FT=4.5GHZ SOT-363 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
UPA810T-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA811 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4228 SMALL MINI MOLD
UPA811T 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*