參數(shù)資料
型號： UPA860TD
英文描述： Discrete
中文描述： 離散
文件頁數(shù)： 4/28頁
文件大?。?/td> 142K
代理商： UPA860TD
Data Sheet P15734EJ1V0DS
4
μ
PA863TC
TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, T
A
= +25
°
C)
300
250
230
90
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
T
t
Ambient Temperature T
A
(C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
Mounted on Glass Epoxy PCB
(1.08 cm
×
1.0 mm (t) )
2 Elements in total
Q2
Q1
Q1
Q2
f = 1 MHz
R
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
R
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
2
4
6
8
10
f = 1 MHz
相關PDF資料
PDF描述
UPA861TC Discrete
UPA863TD Discrete
UPA863TD-T3 BJT
UPA871TD TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
UPA871TD-T3 TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
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參數(shù)描述
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UPA861TD-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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