參數(shù)資料
型號(hào)： UPD431000AGW-70X
廠商： NEC Corp.
英文描述： 1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
中文描述： 100萬(wàn)位CMOS靜態(tài)RAM 128K的字8位擴(kuò)展工作溫度
文件頁(yè)數(shù)： 25/26頁(yè)
文件大?。?/td> 211K
代理商： UPD431000AGW-70X
Data Sheet M10430EJ9V0DS
8
PD431000A-X
DC Characteristics (Recommended Operating Conditions Unless Otherwise Noted)
Parameter
Symbol
Test condition
PD431000A-xxX
PD431000A-AxxX PD431000A-BxxX
Unit
MIN.
TYP. MAX. MIN.
TYP. MAX.
Input leakage
ILI
VIN = 0 V to VCC
–1.0
+1.0
–1.0
+1.0
–1.0
+1.0
A
current
I/O leakage
ILO
VI/O = 0 V to VCC,
–1.0
+1.0
–1.0
+1.0
–1.0
+1.0
A
current
/CE1 = VIH or CE2 = VIL
or /WE = VIL or /OE = VIH
Operating
ICCA1
/CE1 = VIL, CE2 = VIH,
4070
mA
supply current
II/O = 0 mA
VCC
≤ 3.6 V
–
15
35
–
Minimum cycle time VCC
≤ 3.3 V
–
15
30
ICCA2
/CE1 = VIL, CE2 = VIH,15
15
II/O = 0 mA,
VCC
≤ 3.6 V
–
10
–
Cycle time =
∞
VCC
≤ 3.3 V
–
8
ICCA3
/CE1
≤ 0.2 V, CE2 ≥ VCC – 0.2 V,
10
Cycle time = 1
s, II/O = 0 mA,
VIL
≤ 0.2 V,
VCC
≤ 3.6 V
–
8
–
VIH
≥ VCC – 0.2 V
VCC
≤ 3.3 V
–
7
Standby
ISB
/CE1 = VIH or CE2 = VIL
33
3
mA
supply current
VCC
≤ 3.6 V
–
2
–
VCC
≤ 3.3 V
–
2
ISB1
/CE1
≥ VCC 0.2 V,
1
50
–
50
–
50
A
CE2
≥ VCC 0.2 V
VCC
≤ 3.6 V
–
0.5
26
–
VCC
≤ 3.3 V
–
0.5
22
ISB2
CE2
≤ 0.2 V
1
50
–
50
–
50
VCC
≤ 3.6 V
–
0.5
26
–
VCC
≤ 3.3 V
–
0.5
22
High level
VOH
IOH = –1.0 mA, VCC
≥ 4.5 V
2.4
V
output voltage
IOH = –0.5 mA
–
2.4
Low level
VOL
IOL = 2.1 mA, VCC
≥ 4.5 V
0.4
V
output voltage
IOL = 1.0 mA
–
0.4
Remarks 1. VIN : Input voltage
VI/O : Input / Output voltage
2. These DC characteristics are in common regardless product classification.
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PDF描述
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UPD441000LF1-BA1-B70X x8 SRAM
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參數(shù)描述
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UPD431000AGW-85LL(A) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPD431000AGW-B12(A) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPD431000AGW-B15-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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