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參數(shù)資料
| 型號： | UPD44164184F5-E50-EQ1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 18M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION |
| 中文描述： | 1800萬位的SRAM 4條DDRII字爆發(fā)運(yùn)作 |
| 文件頁數(shù)： | 18/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 394K |
| 代理商： | UPD44164184F5-E50-EQ1 |
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18
Data Sheet M15822EJ7V
1
DS
μ
PD44164084, 44164184, 44164364
JTAG AC Test Conditions
Input waveform (Rise / Fall time
≤
1 ns)
0.9 V
0.9 V
Test Points
1.8 V
0 V
Output waveform
0.9 V
0.9 V
Test Points
Output load
Figure 2. External load at test
TDO
Z
O
= 50
V
TT
= 0.9 V
20 pF
50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD44164084F5-E60-EQ1 | 18M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION |
| UPD44164184F5-E60-EQ1 | 18M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION |
| UPD44164084 | 18M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION |
| UPD44164364F5-E50-EQ1 | 18M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION |
| UPD44164184F5-E40-EQ1 | 18M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD44164362F5-E60-EQ1ES | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| UPD44165092BF5-E40-EQ3-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:2MX9, 2BURST, 250 MHZ QDRII SRAM - Trays |
| UPD44165094BF5-E40-EQ3-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 2M x 9-Bit 0.45ns 165-Pin BGA |
| UPD44165362BF5-E40-EQ3 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:UPD44165362BF5-E40-EQ3 - Trays |
| UPD44165362BF5-E40-EQ3-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin BGA |
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