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參數(shù)資料
| 型號： | UPD44164365F5-E50-EQ1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 18M-BIT DDRII SRAM SEPARATE I/O 2-WORD BURST OPERATION |
| 中文描述： | 1800萬位條DDRII SRAM的分離I / O 2字爆發(fā)運作 |
| 文件頁數(shù)： | 18/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 375K |
| 代理商： | UPD44164365F5-E50-EQ1 |
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18
Data Sheet M15823EJ7V
1
DS
μ
PD44164085, 44164185, 44164365
JTAG AC Test Conditions
Input waveform (Rise / Fall time
≤
1 ns)
0.9 V
0.9 V
Test Points
1.8 V
0 V
Output waveform
0.9 V
0.9 V
Test Points
Output load
Figure 2. External load at test
TDO
Z
O
= 50
V
TT
= 0.9 V
20 pF
50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| UPD44165362BF5-E40-EQ3-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin BGA |
| UPD44321182GF-A50(A) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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