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參數(shù)資料
| 型號： | UPD4564163G5 |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| 中文描述： | 6400位同步DRAM 4銀行，LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 38/85頁 |
| 文件大?。?/td> | 919K |
| 代理商： | UPD4564163G5 |
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Data Sheet E0149N10
38
μ
PD4564441, 4564841, 4564163
Asynchronous Characteristics
Parameter
Symbol
-80
-10
-10B
Unit
Note
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
ACT to REF/ACT command period (operation)
t
RC
70
70
90
ns
REF to REF/ACT command period (refresh)
t
RC1
70
70
90
ns
ACT to PRE command period
t
RAS
48
120,000
50
120,000
60
120,000
ns
PRE to ACT command period
t
RP
20
20
30
ns
Delay time ACT to READ/WRITE command
t
RCD
20
20
30
ns
ACT (one) to ACT (another) command period
t
RRD
16
20
20
ns
Data-in to PRE command period
/CAS latency = 3
t
DPL3
8
10
10
ns
/CAS latency = 2
t
DPL2
8
10
10
ns
Data-in to ACT (REF) command
period (Auto precharge)
/CAS latency = 3
t
DAL3
1CLK
+20
1CLK
+20
1CLK
+30
ns
/CAS latency = 2
t
DAL2
1CLK
+20
1CLK
+20
1CLK
+30
ns
Mode register set cycle time
t
RSC
2
2
2
CLK
Transition time
t
T
0.5
30
1
30
1
30
ns
Refresh time (4,096 refresh cycles)
t
REF
64
64
64
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD4564441 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD4564841 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD485505 | LINE BUFFER 5K-WORD BY 8-BIT |
| UPD485505G-25 | LINE BUFFER 5K-WORD BY 8-BIT |
| UPD485505G-35 | LINE BUFFER 5K-WORD BY 8-BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD4564163G5-A10B-9JF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:SDRAM, 4M x 16, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| UPD4564323G5-A10BL-9HJ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPD45D128442G5C759LG | 制造商:NEC 功能描述:* |
| UPD4701AC-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| UPD4702C-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
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