- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄11090 > UPD70F3453GC-8EA-A (Renesas Electronics America)MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | UPD70F3453GC-8EA-A |
| 廠商： | Renesas Electronics America |
| 文件頁數(shù)： | 298/352頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 400 |
| 系列： | V850E/Ix3 |
| 核心處理器： | V850ES |
| 芯體尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 64MHz |
| 連通性： | CSI，EBI/EMI，I²C，UART/USART |
| 外圍設(shè)備： | DMA，LVD，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 56 |
| 程序存儲器容量： | 128KB（128K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 8K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 3.5 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 10x12b，8x10b |
| 振蕩器型： | 外部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 100-LQFP |
| 包裝： | 托盤 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁第251頁第252頁第253頁第254頁第255頁第256頁第257頁第258頁第259頁第260頁第261頁第262頁第263頁第264頁第265頁第266頁第267頁第268頁第269頁第270頁第271頁第272頁第273頁第274頁第275頁第276頁第277頁第278頁第279頁第280頁第281頁第282頁第283頁第284頁第285頁第286頁第287頁第288頁第289頁第290頁第291頁第292頁第293頁第294頁第295頁第296頁第297頁當(dāng)前第298頁第299頁第300頁第301頁第302頁第303頁第304頁第305頁第306頁第307頁第308頁第309頁第310頁第311頁第312頁第313頁第314頁第315頁第316頁第317頁第318頁第319頁第320頁第321頁第322頁第323頁第324頁第325頁第326頁第327頁第328頁第329頁第330頁第331頁第332頁第333頁第334頁第335頁第336頁第337頁第338頁第339頁第340頁第341頁第342頁第343頁第344頁第345頁第346頁第347頁第348頁第349頁第350頁第351頁第352頁
User’s Manual U18279EJ3V0UD
3
NOTES FOR CMOS DEVICES
(1) VOLTAGE APPLICATION WAVEFORM AT INPUT PIN: Waveform distortion due to input noise or a reflected
wave may cause malfunction. If the input of the CMOS device stays in the area between VIL (MAX) and VIH
(MIN) due to noise, etc., the device may malfunction. Take care to prevent chattering noise from entering the
device when the input level is fixed, and also in the transition period when the input level passes through the
area between VIL (MAX) and VIH (MIN).
(2) HANDLING OF UNUSED INPUT PINS: Unconnected CMOS device inputs can be cause of malfunction. If
an input pin is unconnected, it is possible that an internal input level may be generated due to noise, etc.,
causing malfunction. CMOS devices behave differently than Bipolar or NMOS devices. Input levels of CMOS
devices must be fixed high or low by using pull-up or pull-down circuitry. Each unused pin should be
connected to VDD or GND via a resistor if there is a possibility that it will be an output pin. All handling related
to unused pins must be judged separately for each device and according to related specifications governing
the device.
(3) PRECAUTION AGAINST ESD: A strong electric field, when exposed to a MOS device, can cause destruction
of the gate oxide and ultimately degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of
static electricity as much as possible, and quickly dissipate it when it has occurred. Environmental control
must be adequate. When it is dry, a humidifier should be used. It is recommended to avoid using insulators
that easily build up static electricity. Semiconductor devices must be stored and transported in an anti-static
container, static shielding bag or conductive material. All test and measurement tools including work benches
and floors should be grounded. The operator should be grounded using a wrist strap. Semiconductor devices
must not be touched with bare hands. Similar precautions need to be taken for PW boards with mounted
semiconductor devices.
(4) STATUS BEFORE INITIALIZATION: Power-on does not necessarily define the initial status of a MOS device.
Immediately after the power source is turned ON, devices with reset functions have not yet been initialized.
Hence, power-on does not guarantee output pin levels, I/O settings or contents of registers. A device is not
initialized until the reset signal is received. A reset operation must be executed immediately after power-on
for devices with reset functions.
(5) POWER ON/OFF SEQUENCE: In the case of a device that uses different power supplies for the internal
operation and external interface, as a rule, switch on the external power supply after switching on the internal
power supply. When switching the power supply off, as a rule, switch off the external power supply and then
the internal power supply. Use of the reverse power on/off sequences may result in the application of an
overvoltage to the internal elements of the device, causing malfunction and degradation of internal elements
due to the passage of an abnormal current. The correct power on/off sequence must be judged separately for
each device and according to related specifications governing the device.
(6) INPUT OF SIGNAL DURING POWER OFF STATE : Do not input signals or an I/O pull-up power supply while
the device is not powered. The current injection that results from input of such a signal or I/O pull-up power
supply may cause malfunction and the abnormal current that passes in the device at this time may cause
degradation of internal elements. Input of signals during the power off state must be judged separately for
each device and according to related specifications governing the device.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-2T4-IY-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W |
| VE-2T4-IY-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W |
| PS385ESE | IC SWITCH DUAL DPST 16SOIC |
| VE-2TH-IY-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 52V 50W |
| VI-21P-CV-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 150W |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD70F3453GF(R)-GAS-AX | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:V850/IG3 MCU, 128KB FLASH, 8KB RAM, 100-LQFP - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP |
| UPD70F3453GF-GAS-AX | 功能描述:MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:V850E/Ix3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:80C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:EBI/EMI，I²C，UART/USART 外圍設(shè)備:POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):40 程序存儲器容量:- 程序存儲器類型:ROMless EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:68-LCC（J 形引線） 包裝:帶卷 (TR) |
| UPD70F3454F1(R)-DA9-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:V850/IG3 MCU, 256KB FLASH, 12KB RAM, 161-FBGA - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU 32BIT 256KB FLASH 161LFBGA |
| UPD70F3454GC(R)-8EA-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:V850/IG3 MCU, 256KB FLASH, 12KB RAM, 100-LQFP - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:V850ES Series 32 bit 12 kB RAM 256 kB Flash 64 MHz Microcontroller -LQFP-100 |
| UPD70F3454GC(S)-8EA-E2-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RENUPD70F3454GC(S)-8EA-E2-A V850E/IG3 FL |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。