| 型號(hào)： | US6M11TR |
| 廠商： | Rohm Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V，12V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 1.5A，1.3A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫歐 @ 1.5A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 1.8nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | UMT6 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |