- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄202151 > UT60N03L-TN3-T (UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD) 60 A, 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UT60N03L-TN3-T |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60 A, 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大小： | 224K |
| 代理商： | UT60N03L-TN3-T |
UT60N03
Power MOSFET
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R502-237.B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Cont.)
SWITCHING PARAMETERS(Cont.)
5V
VGS=0V~5V, VDD=15V, ID=19A
IG=1.0mA
18
28
Total Gate Charge
10V
QG
VGS=0V~10V, VDD=15V,
ID=19A, IG=1.0mA
9.6
14
nC
Threshold Gate Charge
QG(TH)
VGS=0V~1V, VDD=15V, ID=19A
IG=1.0mA
1.0
1.5
nC
Gate-Source Charge
QGS
3.4
nC
Gate-Drain Charge
QGD
VDD=15V, ID=19A IG=1.0mA
3.4
nC
SOURCE- DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
ISD=19A
1.25
Drain-Source Diode Forward Voltage
VSD
ISD=10A
1.0
V
Reverse Recovery Time
tRR
58
ns
Reverse Recovery Charge
QRR
ISD=9A, dIS/dt =100A/s,
70
nC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UT7115G-T92-C-K | 1.5 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, BCY3 |
| UT7401G-AE3-R | 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| UTC5-200-3 | 10 MHz - 500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| UTC5-200-5 | 10 MHz - 500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| UTC5-200-6 | 10 MHz - 500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UT60T03 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| UT6105 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 50V 9A 2PIN BODY C-STUD - Bulk |
| UT6105HR2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:RECTIFIERS |
| UT6110 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 100V 9A 2PIN BODY C-STUD - Bulk |
| UT611024 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128K X 8BIT HIGH SPEED CMOS SRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。