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VL-F20-2EBN

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

VL-F20-2EBN
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
VersaLogic Corporation
標準封裝
16+
-
假一罰十，原裝正品

1/1頁 40條/頁共1條
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您是不是要找： VL-F20-2SBN VL-F20-4EBN VL-F20-4EBR VL-F20-4SBN VL-F20-8EBN VL-F20-8SBN VL-F23-1EBN VL-F23-1ECN VL-F23-2EBN

VL-F20-2EBN PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

VL-F20-2EBN 技術參數(shù)

VL-F20-1SBN 功能描述:1GB DISKONMODULE STD TEMP 制造商:versalogic corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效配件類型:存儲器模塊規(guī)格:1GB 閃存標準包裝:1 VL-F20-1EBN 功能描述:1GB DISKONMODULE EXT TEMP 制造商:versalogic corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效配件類型:存儲器模塊規(guī)格:8GB 閃存標準包裝:1 VL-F15-8EBN 功能描述:EXPANSION MOD SSD 8GB EUSB IND 制造商:versalogic corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效配件類型:存儲器模塊規(guī)格:8GB eUSB 模塊（USB）標準包裝:1 VLF12060T-6R8N7R2 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 7.2A 13.1 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:6.8μH 容差:±30% 額定電流:7.2A 電流 - 飽和值:7.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:13.1 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.472" 長 x 0.461" 寬（12.00mm x 11.70mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標準包裝:1 VLF12060T-680M2R3 功能描述:68μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:68μH 容差:±20% 額定電流:2.3A 電流 - 飽和值:2.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.472" 長 x 0.461" 寬（12.00mm x 11.70mm）高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm）標準包裝:1 VL-F23-2ECN VL-F23-4EBN VL-F23-4ECN VLF252010MT-100M VLF252010MT-100M-CA VLF252010MT-150M VLF252010MT-150M-CA VLF252010MT-1R0N VLF252010MT-1R0N-CA VLF252010MT-1R5N VLF252010MT-1R5N-CA VLF252010MT-220M VLF252010MT-220M-CA VLF252010MT-2R2M VLF252010MT-2R2M-CA VLF252010MT-3R3M VLF252010MT-3R3M-CA VLF252010MT-4R7M