參數(shù)資料
型號(hào)： VEC2803
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： General-Purpose Switching Device Applications
中文描述： 通用開(kāi)關(guān)器件應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商： VEC2803
VEC2803
No.8202-2/6
Electrical Characteristics
at Ta=25
°
C
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
[MOSFET]
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=--1mA, VGS=0
VDS=--30V, VGS=0
VGS=
±
16V, VDS=0
VDS=--10V, ID=--1mA
VDS=--10V, ID=--1.5A
ID=--1.5A, VGS=--10V
ID=--0.7A, VGS=--4V
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--3A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--3A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--3A
IS=--3A, VGS=0
--30
V
μ
A
μ
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
--1
±
10
--2.4
--1.0
2.0
3.4
65
117
510
115
78
11
17
53
35
11
2.4
1.7
--0.87
Static Drain-to-Source On-State Resistance
86
168
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
[SBD]
Reverse Voltage
--1.2
VR
VF1
VF2
IR
C
trr
IR=0.5mA
IF=0.5A
IF=1A
VR=15V
VR=10V, f=1MHz
IF=IR=100mA, See specified Test Circuit.
30
V
V
V
μ
A
pF
ns
Forward Voltage
0.35
0.4
0.39
0.45
360
Reverse Current
Interterminal Capacitance
Reverse Recovery Time
27
10
Package Dimensions
unit : mm
2241
Electrical Connection
1 : Anode
2 : No Contact
3 : Source
4 : Gate
5 : Drain
6 : Drain
7 : Cathode
8 : Cathode
SANYO : VEC8
2.9
0.65
2
0
0
2
0
0
0.3
1
2
3
4
8
7
6 5
0.15
8
7
6
5
1
2
3
4
1 : Anode
2 : No Contact
3 : Source
4 : Gate
5 : Drain
6 : Drain
7 : Cathode
8 : Cathode
Top view
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VEC2901 Switching, Flash Applications
VECANA01 10-Channel, 12-Bit DATA ACQUISITION SYSTEM
VEF44A PLASTIC QUAD FLATPACK 10 X 10 MM 44 LEAD
VEN2AAA TWEEZERS ROUND POINT
VESD05A1-02V Single-line ESD protection diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VEC2803-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:Pch+SBD 30V 3A 0.086 VEC8 Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH SCHOTTKY DIODE VEC8 制造商:Sanyo 功能描述:0
VEC2811 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
VEC2812 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
VEC2812-TL-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH SCHOTTKY DIODE VEC8 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:0
VEC2813 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*