參數(shù)資料
型號(hào)： VESD05A1-02V
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Single-line ESD protection diode
中文描述： 單線(xiàn)路ESD保護(hù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 131K
代理商： VESD05A1-02V
www.vishay.com
2
Document Number 84702
Rev. 1.0, 04-Apr-05
VESD05A1-02V
Vishay Semiconductors
Electrical Characteristics
(T
A
= 25 °C unless otherwise specified)
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Typical Characteristics
(T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified)
Test Conditions
at max. reverse current
Synbol
V
RWM
I
R
V
C
Min.
5
Typ.
Max.
Unit
V
Max. Reverse current
at V
R
= 5 V
< 0.1
1
μA
Max. Clamping voltage
at I
PP
= 16 A (Pin 2 to 1)
Acc. IEC 61000-4-5
at I
PP
= 16 A (Pin 1 to 2)
Acc. IEC 61000-4-5
Acc. IEC 61000-4-5 See Fig. 1
10.5
12
V
Max. Forward Clamping voltage
V
F
3.2
4.5
V
Max. Peak pulse current
I
PPM
V
BR
C
D
V
F
V
C-ESD
- 16
16
A
Min. Reverse Breakdown Voltage
at I
R
= 1 mA
at V
R
= 0 V ; f = 1 MHz
at I
F
= 1 A ; t
p
< 300 μs
at + 8 kV ESD-pulse
acc. IEC 61000-4-2
at - 8 kV ESD-pulse
acc. IEC 61000-4-2
6.0
6.8
7.5
V
Capacitance
130
150
pF
Forward voltage
1.0
1.5
V
ESD-Clamping voltage
(Overshoot)
ESD-Clamping voltage
(Undershoot)
+ 50
V
V
C-ESD
- 50
V
Figure 1. 8/20
μ
s Peak Pulse Current wave form
acc. IEC 61000 - 4 - 5
Figure 2. Typical Capacitance C
D
vs. Reverse Voltage V
R
0 %
20 %
40 %
60 %
8
0 %
100 %
0
10
20
30
40
Time in
μ
s
I
P
20
μ
s to 50 %
8
μ
s to 100 %
19333
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
V
R
in
V
C
D
f = 1MHz
19334
Figure 3. Typical Forward Current I
F
vs. Forward voltage V
F
Figure 4. Typical Reverse Voltage V
R
vs. Reverse Current I
R
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.5
0.6
0.7
0.
8
0.9
V
F
in
V
I
F
19335
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
I
R
in
μ
A
V
R
i
V
19336
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VESD05A8-HN2 8-Lines ESD protection diode array
VESD05C-FC1 Bidirectional ESD protection diodes in flip-chip 1005 size;
VF1-SERIES Peripheral IC
VF5-SERIES Peripheral IC
VF155-2-SERIES Peripheral IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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VESD05A1-02V-G-08 功能描述:ESD 抑制器 ESD PROTECTEION DIODE SOD523 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 擊穿電壓:8 V 電容:45 pF 端接類(lèi)型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C
VESD05A1-02V-G-18 功能描述:ESD 抑制器 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 擊穿電壓:8 V 電容:45 pF 端接類(lèi)型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C
VESD05A1-02V-GS08 功能描述:ESD 抑制器 5.0 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 擊穿電壓:8 V 電容:45 pF 端接類(lèi)型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C
VESD05A1A-HD1-GS08 功能描述:ESD 抑制器 5.0 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 擊穿電壓:8 V 電容:45 pF 端接類(lèi)型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C
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