參數(shù)資料
型號： VG26S16405DJ-6
英文描述： x4 EDO Page Mode DRAM
中文描述： x4 EDO公司頁面模式的DRAM
文件頁數(shù)： 6/27頁
文件大?。?/td> 214K
代理商： VG26S16405DJ-6
Document:1G5-0124
Rev.1
Page 6
VIS
VG26(V)(S)17405
4,194,304 x 4 - Bit
CMOS Dynamic RAM
DC Characteristics; 5- Volt Verion
(T
a
= 0 to + 70 °C
,
V
CC
= + 5V
%,V
SS
= 0V)
Parameter
Symbol
Test Conditions
VG26(V)(S)17405
Unit
Notes
-5
-6
Min
Max
Min
Max
Operating current
I
CC1
RAS cycling
CAS, cycling
t
RC
= min
-
120
-
110
mA
1, 2
Standby
Current
LOW
power
S-version
I
CC2
TTL interface
RAS, CAS = V
IH
Dout = High-Z
-
2
-
2
mA
CMOS interface
RAS,
Dout = High-Z
-0.2V
-
0.25
-
0.25
mA
Standard
power
version
TTL interface
RAS, CAS = V
IH
Dout = High-Z
2
-
2
mA
CMOS interface
RAS,
Dout = High-Z
-0.2V
1
-
1
mA
RAS-only
refresh current
I
CC3
RAS cycling, CAS = V
IH
t
RC
= min
-
120
-
110
mA
1, 2
EDO page mode
current
I
CC4
t
RC
= min
-
90
-
80
mA
1, 3
CAS-before-RAS
refresh current
I
CC5
t
RC
= min
RAS, CAS cycling
-
120
-
110
mA
1, 2
Self-refresh current
(S - Version)
I
CC8
-
350
-
350
CAS- before- RAS long
refresh current
(S-Version)
I
CC9
Standby: V
CC
-
CAS before RAS refresh:
2048 cycles / 128ms
RAS, CAS:
0V
VCC-
(Max)
Dout = High-Z,
-
500
-
500
10
±
CAS
Vcc
≥
CAS
Vcc
≥
t
RAS
100
μ
s
≥
μ
A
0.2V
RAS
≤
V
IL
V
IH
≤
t
RAS
0.2V
≤
≤
0.2V
V
IH
≤
300ns
≤
μ
A
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PDF描述
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