參數(shù)資料
型號： VG26S16405DT-6
英文描述： x4 EDO Page Mode DRAM
中文描述： x4 EDO公司頁面模式的DRAM
文件頁數(shù)： 5/27頁
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代理商： VG26S16405DT-6
Document:1G5-0124
Rev.1
Page 5
VIS
VG26(V)(S)17405
4,194,304 x 4 - Bit
CMOS Dynamic RAM
Absolute Maximum Ratings
Recommended DC Operating Conditions
Capacitance
Ta = 25°C, V
CC
= 5V
%
or 3.3V
%, f = 1MHz
Note: 1. Capacitance measured with effective capacitance measuring method.
2. RAS, CAS = V
IH
to disable Dout.
Parameter
Symbol
Value
Unit
5V
Voltage on any pin relative to Vss
3.3V
V
T
-1.0 to + 7.0
-0.5 to + 4.6
V
5V
Supply voltage relative to Vss
3.3V
V
CC
-1.0 to + 7.0
-0.5 to + 4.6
V
Short circuit output current
I
OUT
50
mA
Power dissipation
P
D
1.0
W
Operating temperature
T
OPT
0 to + 70
°C
Storage temperature
T
STG
-55 to + 125
°C
Parameter/Condition
Symbol
5 Volt Version
3.3 Volt Version
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Supply Voltage
V
CC
4.5
5.0
5.5
3.0
3.3
3.6
V
Input High Voltage, all inputs
V
IH
2.4
-
V
CC
+ 1.0
2.0
-
V
CC
+ 0.3
V
Input Low Voltage, all inputs
V
IL
-1.0
-
0.8
-0.3
-
0.8
V
Parameter
Symbol
Typ
Max
Unit
Note
Input capacitance (Address)
C
I1
-
5
pF
1
Input capacitance (RAS, CAS, OE, WE)
C
I2
-
7
pF
1
Output capacitance
(Data-in, Data-out)
C
I/O
-
7
pF
1, 2
10
±
10
±
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PDF描述
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VG26S16405EJ-6 x4 EDO Page Mode DRAM
VG26S16405ET-5 x4 EDO Page Mode DRAM
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VG26S17400DJ-6 x4 Fast Page Mode DRAM
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參數(shù)描述
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