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參數(shù)資料
| 型號： | VG26V16405ET-5 |
| 英文描述： | x4 EDO Page Mode DRAM |
| 中文描述： | x4 EDO公司頁面模式的DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 7/27頁 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | VG26V16405ET-5 |
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Document:1G5-0124
Rev.1
Page 7
VIS
VG26(V)(S)17405
4,194,304 x 4 - Bit
CMOS Dynamic RAM
DC Characteristics ; 5-Volt Version (Cont.)
(T
a
= 0 to + 70
°C
,
V
CC
= + 5V
%,V
SS
= 0V)
Notes:
1. I
CC
is specified as an average current. It depends on output loading condition and cycle rate when the
device is selected. I
CC
max is specified at the output open condition.
2. Address can be changed once or less while RAS = V
IL
.
3. For I
CC4
, address can be changed once or less within one EDO page mode cycle time.
Parameter
Symbol
I
LI
Test Conditions
VG26(V)(S) 17405
-5
Max
Unit
Notes
-6
Min
Min
Max
Input leakage current
+ 0.5V
-5
5
-5
5
Output leakage current
I
LO
+ 0.5V
Dout = Disable
I
OH
= - 5mA
I
OL
= + 4.2mA
-5
5
-5
5
Output high Voltage
V
OH
V
OL
2.4
-
2.4
-
V
Output low voltage
-
0.4
-
0.4
V
10
±
0V
V
IN
V
CC
≤
≤
μ
A
0V
V
OUT
V
CC
≤
≤
μ
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VG26V16405ET-6 | x4 EDO Page Mode DRAM |
| VG26VS16405DT-5 | x4 EDO Page Mode DRAM |
| VG26VS16405DT-6 | x4 EDO Page Mode DRAM |
| VG26VS16405EJ-5 | x4 EDO Page Mode DRAM |
| VG26VS16405EJ-6 | x4 EDO Page Mode DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VG26V16405ET-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM |
| VG26V17400DJ-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| VG26V17400DJ-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|SOJ|26PIN|PLASTIC |
| VG26V17400DT-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| VG26V17400DT-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
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