參數(shù)資料
型號(hào): VG26V16405ET-6
英文描述: x4 EDO Page Mode DRAM
中文描述: x4 EDO公司頁(yè)面模式的DRAM
文件頁(yè)數(shù): 13/27頁(yè)
文件大小: 214K
代理商: VG26V16405ET-6
Document:1G5-0124
Rev.1
Page 13
VIS
VG26(V)(S)17405
4,194,304 x 4 - Bit
CMOS Dynamic RAM
EDO Page Mode Read Modify Write Cycle
Parameter
Symbol
VG26(V)(S) 17405
Unit
Notes
-5
-6
Min
Max
Min
Max
EDO page mode read- modify- write cycle
CAS precharge to WE delay time
t
CPW
45
-
55
-
ns
10
EDO page mode read- modify- write cycle
time
t
PRWC
56
-
68
-
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VG26VS16405DT-5 x4 EDO Page Mode DRAM
VG26VS16405DT-6 x4 EDO Page Mode DRAM
VG26VS16405EJ-5 x4 EDO Page Mode DRAM
VG26VS16405EJ-6 x4 EDO Page Mode DRAM
VG26VS16405ET-5 x4 EDO Page Mode DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VG26V17400DJ-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
VG26V17400DJ-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|FAST PAGE|4MX4|CMOS|SOJ|26PIN|PLASTIC
VG26V17400DT-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
VG26V17400DT-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
VG26V17400EJ-5 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:4,194,304 x 4 - Bit CMOS Dynamic RAM