參數(shù)資料
型號(hào)： VG26VS16405DT-6
英文描述： x4 EDO Page Mode DRAM
中文描述： x4 EDO公司頁(yè)面模式的DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 9/27頁(yè)
文件大小： 214K
代理商： VG26VS16405DT-6
Document:1G5-0124
Rev.1
Page 9
VIS
VG26(V)(S)17405
4,194,304 x 4 - Bit
CMOS Dynamic RAM
DC Characteristics ; 3.3 - Volt Version (Cont.)
(T
a
= 0 to 70°C
,
V
CC
= +3.3V
%, V
SS
= 0V)
Notes:
1. I
CC
is specified as an average current. It depends on output loading condition and cycle rate when the
device is selected. I
CC
max is specified at the output open condition.
2. Address can be changed once or less while RAS = V
IL
.
3. For I
CC4
, address can be changed once or less within one EDO page mode cycle time.
Parameter
Symbol
I
LI
Test Conditions
VG26(V)(S) 17405
-5
Min
Max
-5
Unit
Notes
-6
Min
Max
Input leakage current
+ 0.3V
5
-5
5
Output leakage current
I
LO
+ 0.3V
Dout = Disable
I
OH
= -2mA
I
OL
= +2mA
-5
5
-5
5
Output high Voltage
V
OH
V
OL
2.4
-
2.4
-
V
Output low voltage
-
0.4
-
0.4
V
10
±
0V
Vin
V
CC
≤
≤
μ
A
0V
Vout
V
CC
≤
≤
μ
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VG26VS16405EJ-5 x4 EDO Page Mode DRAM
VG26VS16405EJ-6 x4 EDO Page Mode DRAM
VG26VS16405ET-5 x4 EDO Page Mode DRAM
VG26VS16405ET-6 x4 EDO Page Mode DRAM
VG26VS17400DJ-5 x4 Fast Page Mode DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VG26VS16405EJ-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM
VG26VS16405EJ-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM
VG26VS16405ET-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM
VG26VS16405ET-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM
VG26VS17400DJ-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
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