型號: | VII125-12G4 |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 125A I(C) |
中文描述: | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1.2KV五(巴西)國際消費電子展| 125A條一(c) |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 237K |
代理商: | VII125-12G4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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VII200-12G4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) |
VIPER100SP-E | 5.3 A SWITCHING REGULATOR, 200 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PZFM5 |
VIPER100ASP13TR | 5.3 A SWITCHING REGULATOR, 200 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PZFM5 |
VKA100LS03F-6 | 1-OUTPUT 100 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
VKA100LS15-1 | 1-OUTPUT 100 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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VII125-12S4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 125A I(C) |
VII130-06P1 | 功能描述:IGBT 模塊 130 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
VII150-12G4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) |
VII150-12S2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 203A I(C) |
VII150-12S4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) |