參數(shù)資料
型號: VII125-12G4
英文描述: TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 125A I(C)
中文描述: 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1.2KV五(巴西)國際消費電子展| 125A條一(c)
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大?。?/td> 237K
代理商: VII125-12G4
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VII200-12G4 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
VIPER100SP-E 5.3 A SWITCHING REGULATOR, 200 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PZFM5
VIPER100ASP13TR 5.3 A SWITCHING REGULATOR, 200 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PZFM5
VKA100LS03F-6 1-OUTPUT 100 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
VKA100LS15-1 1-OUTPUT 100 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VII125-12S4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 125A I(C)
VII130-06P1 功能描述:IGBT 模塊 130 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
VII150-12G4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C)
VII150-12S2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 203A I(C)
VII150-12S4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C)