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VII150-12S4	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CES \| 150A I(C)
VII125-12G4	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CES \| 125A I(C)
VII200-12G4	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C)
VIPER100SP-E	5.3 A SWITCHING REGULATOR, 200 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PZFM5
VIPER100ASP13TR	5.3 A SWITCHING REGULATOR, 200 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PZFM5

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VII150-12S4

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C)

VII125-12G4

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 125A I(C)

VII200-12G4

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)

VIPER100SP-E

5.3 A SWITCHING REGULATOR, 200 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PZFM5

VIPER100ASP13TR

5.3 A SWITCHING REGULATOR, 200 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PZFM5

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VII150-12S4	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CES \| 150A I(C)
VII25-06P1	功能描述:MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2 RoHS:是類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
VII25-12P1	功能描述:MOD IGBT PHASE LEG 1200V ECOPAC2 RoHS:是類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
VII50-06P1	功能描述:MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2 RoHS:是類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
VII50-12G3	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CES \| 50A I(C)

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VII150-12S4

制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C)

VII25-06P1

功能描述:MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2 RoHS:是類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B

VII25-12P1

功能描述:MOD IGBT PHASE LEG 1200V ECOPAC2 RoHS:是類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B

VII50-06P1

VII50-12G3

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型號：	VII150-12S2
英文描述：	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CES \| 203A I(C)
中文描述：	晶體管\| IGBT功率模塊\|半橋\| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展\| 203A章一（c）
文件頁數(shù)：	4/4頁
文件大?。?/td>	238K
代理商：	VII150-12S2

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