| 型號(hào)： | VMO580-02F |
| 廠商： | IXYS |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 580A MODULE |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 3 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 200V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 580A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.8 毫歐 @ 430A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 50mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 2750nC @ 10V |
| 安裝類型： | 底座安裝 |
| 封裝/外殼： | Y3-Li |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | Y3-Li |
| 包裝： | 散裝 |
| 其它名稱： | Q1221985A |