參數(shù)資料
型號: VMO650-01F
廠商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 100V 690A MODULE
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 690A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.8 毫歐 @ 500mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 6V @ 130mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 2300nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 59000pF @ 25V
功率 - 最大: 2500W
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: Y3-DCB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: Y3-DCB
包裝: 散裝
其它名稱: Q1434129
VM0650-01F