型號: | VN10KM |
英文描述: | N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors |
中文描述: | N溝道增強型MOS晶體管 |
文件頁數: | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 76K |
代理商: | VN10KM |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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VN10KN | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs |
VN10K | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,N溝道增強型垂直DMOS結構場效應管) |
VN10LDA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
VN10LDB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
VN10LDC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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VN10KN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs |
VN10KN3 | 功能描述:MOSFET 60V 5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
VN10KN3 P003 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin TO-92 T/R |
VN10KN3-G | 功能描述:MOSFET 60V 5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
VN10KN3-G P002 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET |