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參數(shù)資料
| 型號： | VN5770AK-E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Quad smart power solid state relay for complete H bridge configurations |
| 中文描述： | 四完整的智能功率H橋配置固態(tài)繼電器 |
| 文件頁數(shù)： | 9/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 429K |
| 代理商： | VN5770AK-E |
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VN5770AK-E
Electrical characteristics
9/31
3
Electrical characteristics
3.1
Electrical characteristics for dual high side switch
Note:
Values specified in this section are for 8V < V
CC
< 36V; -40°C < T
j
< 150°C, unless
otherwise specified (for each channel)
Table 6.
Table 7.
Power section
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Operating supply
voltage
4.5
13
36
V
V
USD
Undervoltage
shutdown
3.5
4.5
V
V
USDhyst
Undervoltage shut-
down hysteresis
0.5
V
R
ON
On state resistance
I
OUT
=3A; T
j
=25°C
I
OUT
=3A; T
j
=150°C
I
OUT
=3A; V
CC
=5V; T
j
=25°C
160
320
210
m
m
m
V
clamp
Clamp Voltage
I
S
=20 mA
41
46
52
V
I
S
Supply current
Off State; V
CC
=13V; T
j
=25°C;
V
IN
=V
OUT
=V
SENSE
=0V
On State; V
CC
=13V; V
IN
=5V; I
OUT
=0A
2
(1)
3
1.
PowerMOS leakage included
5
(1)
6
μ
A
mA
I
L(off)
Off state output
current
(2)
2.
For each channel
V
IN
=V
OUT
=0V; V
CC
=13V; T
j
=25°C
V
IN
=V
OUT
=0V; V
CC
=13V; T
j
=125°C
0
0
3
5
μ
A
V
F
Output - V
CC
diode
voltage
(2)
-I
OUT
=3A; T
j
=150°C
0.7
V
Switching
(V
CC
=13V)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
Turn-on delay time
R
L
=4.3
(see
Figure 3.
)
R
L
=4.3
(see
Figure 3.
)
15
μ
s
t
d(off)
Turn-off delay time
10
μ
s
(dV
OUT
/dt)
on
Turn-on voltage
slope
R
L
=4.3
See
Figure 15
V
/μ
s
(dV
OUT
/dt)
off
Turn-off voltage
slope
R
L
=4.3
See
Figure
17.
V
/μ
s
W
ON
Switching energy
losses during t
won
R
L
=4.3
(see
Figure 3.
)
0.16
mJ
W
OFF
Switching energy
losses during t
woff
R
L
=4.3
(see
Figure 3.
)
0.08
mJ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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