參數(shù)資料
型號： VN750B5-E
廠商： 意法半導體
英文描述： HIGH SIDE DRIVER
中文描述： 高邊驅動器
文件頁數(shù)： 21/31頁
文件大小： 416K
代理商： VN750B5-E
21/31
VN750-E / VN750S-E / VN750PT-E / VN750B5-E
Figure 39. P
2
PAK Thermal Impedance Junction Ambient Single Pulse
Figure 40. Thermal fitting model of a single
channel HSD in P
2
PAK
Pulse calculation formula
R
TH
δ
=
δ
=
Table 16. Thermal Parameter
Area/island (cm
2
)
R1 (°C/W)
R2 (°C/W)
R3 ( °C/W)
R4 (°C/W)
R5 (°C/W)
R6 (°C/W)
C1 (W.s/°C)
C2 (W.s/°C)
C3 (W.s/°C)
C4 (W.s/°C)
C5 (W.s/°C)
C6 (W.s/°C)
0.1
1
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Time (s)
ZTH (°C/W)
0.5 cm
2
6 cm
2
T_amb
C1
R1
R2
C2
R3
C3
R4
C4
R5
C5
R6
C6
Pd
Tj
0.5
0.15
0.7
0.7
4
9
37
0.0006
0.0025
0.055
0.4
2
3
6
22
5
TH
δ
Z
THtp
1
δ
–
(
)
+
where
t
p
T
相關PDF資料
PDF描述
VN750 HIGH SIDE DRIVER
VN750SM13TR PERIPHERAL DRIVER|1 DRIVER|SOP|8PIN|PLASTIC
VN750SM HIGH SIDE DRIVER
VN750-B5 HIGH SIDE DRIVER
VN750-B513TR HIGH SIDE DRIVER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
VN750B5TR-E 功能描述:功率驅動器IC 36V 6A HIGH SIDE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VN750-E 功能描述:功率驅動器IC 36V 6A High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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VN750LS13TR 功能描述:功率驅動器IC VIPOWER RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VN750PEP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SIDE DRIVER
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