- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359403 > VN770 (意法半導(dǎo)體) INDUCTOR 1.8UH 290MA 1210 10% PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | VN770 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | INDUCTOR 1.8UH 290MA 1210 10% |
| 中文描述： | 四智能功率固態(tài)繼電器完整H橋配置 |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 87K |
| 代理商： | VN770 |
LOW SIDE SWITCH
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-Source Voltage (V
GS
= 0)
60
V
V
DGR
Drain-Gate Voltage (R
GS
= 20 K
)
60
V
V
GS
Gate-Source Voltage
Drain Current (continuous) @ T
C
= 25
o
C
Drain Current (continuous) @ T
C
= 100
o
C
±
20
V
I
D
36
A
I
D
24
A
I
DM(*)
Drain Current (pulsed)
144
A
dv/dt (1)
Peak Diode Recovery Voltage Slope
7
V/ns
T
stg
Storage Temperature
-55 to 150
o
C
T
j
Junction Operating Temperature
-40 to 150
o
C
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case (High-side switch)
Thermal Resistance Junction-case (Low-side switch)
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
Max
20
20
60
o
C/W
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR DUAL HIGH SIDE SWITCH
(8 < V
CC
< 16 V; -40
≤
T
j
≤
125
o
C unlessotherwise specified)
POWER
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Supply Voltage
6
13
26
V
In(*)
Nominal Current
T
c
= 85
o
C V
DS(on)
≤
0.5 V
CC
= 13 V
I
OUT
= I
n
V
CC
= 13 V
T
j
= 25
o
C
T
j
= 85
o
C
V
T
j
= 25
o
C
1.6
2.6
A
R
on
On State Resistance
T
j
= 25
o
C
0.13
0.2
μ
A
I
S
Supply Current
Off State
V
CC
= 13 V
35
100
V
DS(MAX)
Maximum Voltage Drop I
OUT
= 7.5 A
V
CC
= 13
1.44
2.3
V
R
i
Output to GND internal
Impedance
5
10
20
K
SWITCHING
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
(^)
Turn-on Delay Time Of
Output Current
Rise Time Of Output
Current
R
out
= 5.4
5
25
200
μ
s
t
r
(^)
R
out
= 5.4
10
50
180
μ
s
t
d(off)
(^)
Turn-off Delay Time Of
Output Current
R
out
= 5.4
10
75
250
μ
s
t
f
(^)
Fall Time Of Output
Current
Turn-on Current Slope
R
out
= 5.4
10
35
180
μ
s
(di/dt)
on
R
out
= 5.4
R
out
= 5.4
0.003
0.1
A/
μ
s
A/
μ
s
(di/dt)
off
Turn-off Current Slope
0.005
0.1
VN770
5/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VN771P | Quad Smart Power Solid State Relay For Complete H-Bridge Configurations(應(yīng)用于完整H橋結(jié)構(gòu)的四路智能功率固態(tài)繼電器) |
| VN771 | Quad Smart Power Solid State Relay For Complete H-Bridge Configurations(應(yīng)用于完整H橋結(jié)構(gòu)的四路智能功率固態(tài)繼電器) |
| VN772 | QUAD SMART POWER SOLID STATE RELAY FOR COMPLETE H BRIDGE CONFIGURATIONS |
| VN772K | QUAD SMART POWER SOLID STATE RELAY FOR COMPLETE H BRIDGE CONFIGURATIONS |
| VN800PT | HIGH SIDE DRIVER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VN770K | 功能描述:功率驅(qū)動器IC Quad 40V 9A Hi-Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| VN770K113TR | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| VN770K13TR | 功能描述:功率驅(qū)動器IC Quad 40V 9A Hi-Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| VN770K-E | 功能描述:功率驅(qū)動器IC QUAD 40V 9A HI-SIDE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| VN770KP-E | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 Quad Smart Power 225mOhm 9A 36V VCC RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。