參數(shù)資料
型號： VN770P
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Quad Smart Power Solid State Relay For Complete H-Bridge Configurations(應(yīng)用于完整H橋結(jié)構(gòu)的四路智能功率固態(tài)繼電器)
中文描述： 四智能功率固態(tài)繼電器完整的H -橋配置（應(yīng)用于完整?橋結(jié)構(gòu)的四路智能功率固態(tài)繼電器）
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大小： 95K
代理商： VN770P
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
(-40
o
C < T
j
< 150
o
C)
HIGH SIDE SWITCH
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
(BR)DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
40
V
I
OUT
Output Current (cont.)
9
A
I
R
Reverse Output Current
-9
±
10
A
I
IN
Input Current
mA
-V
CC
Reverse Supply Voltage
-4
V
I
STAT
Status Current
±
10
mA
V
ESD
Electrostatic Discharge (C = 100 pF, R =1.5 K
)
Power Dissipation at T
c
= 25
o
C
2000
V
P
tot
Internally Limited
W
o
C
o
C
T
j
Junction Operating Temperature
-40 to 150
T
stg
Storage Temperature
-55 to 150
LOW SIDE SWITCH
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
(BR)DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
Internally Clamped
V
V
IN
I
D
Input Voltage
18
V
Drain Current
Internally Limited
A
I
R
Reverse DC Output Current
-14
A
V
ESD
Electrostatic Discharge (C = 100 pF, R =1.5 K
)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
2000
V
P
tot
Internally Limited
W
o
C
o
C
T
j
Operating Junction Temperature
Internally Limited
T
stg
Storage Temperature
-55 to 150
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case (High-side switch)
Thermal Resistance Junction-case (Low-side switch)
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
Max
20
20
60
o
C/W
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR DUAL HIGH SIDE SWITCH
(8 < V
CC
< 16 V; -40
≤
T
j
≤
125
o
C unlessotherwise specified)
POWER
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Supply Voltage
6
13
26
V
In(*)
Nominal Current
T
c
= 85
o
C V
DS(on)
≤
0.5 V
CC
= 13 V
I
OUT
= I
n
V
CC
= 13 V
T
j
= 25
o
C
T
j
= 85
o
C
V
1.6
2.6
A
μ
A
R
on
On State Resistance
T
j
= 25
o
C
0.13
0.2
I
S
Supply Current
Off State
V
CC
= 13 V
35
100
V
DS(MAX)
Maximum Voltage Drop I
OUT
= 7.5 A
V
CC
= 13
1.44
2.3
V
VN770P
5/11
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PDF描述
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參數(shù)描述
VN770P13TR 功能描述:功率驅(qū)動器IC Quad 40V 9A Hi-Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VN770PTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC QUAD 40V 9A HI-SIDE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VN771 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:QUAD SMART POWER SOLID STATE RELAY FOR COMPLETE H-BRIDGE CONFIGURATIONS
VN771K 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 Quad 40V 9A Hi-Side RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VN771K13TR 功能描述:功率驅(qū)動器IC Quad 40V 9A Hi-Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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