參數(shù)資料
型號： VND1NV0413TR
廠商： 意法半導體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 14/18頁
文件大小： 392K
代理商： VND1NV0413TR
14/18
VND1NV04 / VNN1NV04 / VNS1NV04
DIM.
mm.
MIN.
TYP
MAX.
A
2.20
2.40
A1
0.90
1.10
A2
0.03
0.23
B
0.64
0.90
B2
5.20
5.40
C
0.45
0.60
C2
0.48
0.60
D
6.00
6.20
D1
5.1
E
6.40
6.60
E1
4.7
e
2.28
G
4.40
4.60
H
9.35
10.10
L2
0.8
L4
0.60
1.00
R
0.2
V2
0°
8°
Package Weight
Gr. 0.29
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
P032P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VND1NV04 “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VND5012AK-E DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER WITH ANALOG CURRENT SENSE FOR AUTOMOTIVE APPLICATIONS
VND5025AK-E Double channel high side driver with analog current sense for automotive applications
VND5025LAK-E Double channel high side driver with analog current sense for automotive applications
VND5050AJ-E Double channel high side driver with analog current sense for automotive applications
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參數(shù)描述
VND1NV04-1-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VND1NV04-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VND1NV04TR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VND1NV04TR-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VND1SW01-1ZD00-0 制造商:Carling Technologies 功能描述:V-SERIES ROCKER SWITCH - Bulk
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