參數(shù)資料
型號(hào)： VND5N07FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： ？OMNIFET？：完全AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 12/15頁(yè)
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代理商： VND5N07FI
VND5N07/VND5N07-1/VNP5N07FI/K5N07FM
12/15
Table 13. ISOWATT220 Mechanical Data
Figure 34. ISOWATT220 Package Dimensions
Note: Drawing is not to scale.
Symbol
millimeters
Min
Typ
Max
A
4.4
4.6
B
2.5
2.7
D
2.5
2.75
E
0.4
0.7
F
0.75
1
F1
1.15
1.7
F2
1.15
1.7
G
4.95
5.2
G1
2.4
2.7
H
10
10.4
L2
16
L3
28.6
30.6
L4
9.8
10.6
L6
15.9
16.4
L7
9
9.3
3
3.2
L2
A
B
D
E
H
G
L6
ˉ
F
L3
G
1 2 3
F
F
L7
L4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VND5N07FM ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VND5N07-1 ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VND600-E DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND60013TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VND600SP Double Channel High Side Solid State Relay(雙通道高邊智能功率固態(tài)繼電器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VND5N07FM 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VND5N07TRE 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
VND5N07TR-E 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VND5T016ASP-E 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
VND5T016ASPTR-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Double CH High-Side 41V 16mOhm 70A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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