型號: | VND600SP |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | Double Channel High Side Solid State Relay(雙通道高邊智能功率固態(tài)繼電器) |
中文描述: | 雙通道高側(cè)固態(tài)繼電器(雙通道高邊智能功率固態(tài)繼電器) |
文件頁數(shù): | 4/8頁 |
文件大小: | 61K |
代理商: | VND600SP |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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VND600 | DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY |
VND600SP13TR | DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY |
VND600PEP | DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY |
VND600PEP13TR | DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY |
VND7N04 | "OMNIFET": Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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VND600SP13TR | 功能描述:固態(tài)繼電器-PCB安裝 36V 25A Hi-Side SSR RoHS:否 制造商:Omron Electronics 控制電壓范圍: 負(fù)載電壓額定值:40 V 負(fù)載電流額定值:120 mA 觸點形式:1 Form A (SPST-NO) 輸出設(shè)備:MOSFET 封裝 / 箱體:USOP-4 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
VND600SP-E | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 36V 25A Hi-Side SSR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
VND600SP-E | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET SMART SWITCH SO-10 |
VND600SPTR-E | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 36V 25A Hi-Side SSR RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關(guān)閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
VND600TR-E | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 DBLE CH HI-SIDE DRVR RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關(guān)閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |