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參數(shù)資料
| 型號： | VND830LSP |
| 英文描述： | DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
| 中文描述： | 雙通道高邊驅(qū)動器 |
| 文件頁數(shù)： | 12/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 297K |
| 代理商： | VND830LSP |
12/17
VND830ASP
Maximum turn off current versus load inductance
A = Single Pulse at T
Jstart
=150oC
B= Repetitive pulse at T
Jstart
=100oC
C= Repetitive Pulse at T
Jstart
=125oC
Conditions:
V
CC
=13.5V
Values are generated with R
L
=0
In case of repetitive pulses, T
jstart
(at beginning of each demagnetization) of every pulse must not exceed
the temperature specified above for curves B and C.
V
IN
, I
L
t
Demagnetization
Demagnetization
Demagnetization
1
10
100
0.1
1
10
100
L(mH)
I
LMAX (A)
A
B
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VND830LSP13TR | DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
| VND830P | DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
| VND830PEP | DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
| VND830SP | DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
| VND830LSP-E | DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VND830LSP13TR | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 DOUBLE CHNL HS DRV RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
| VND830LSP-E | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 DBL CH HI SIDE DRIVE RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
| VND830LSPTR-E | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 DOUBLE CH HI-SIDE DR RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
| VND830MSP | 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| VND830MSP13TR | 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
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