參數(shù)資料
型號： VND830MSP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
中文描述： 雙通道高邊驅(qū)動器
文件頁數(shù)： 11/18頁
文件大小： 266K
代理商： VND830MSP
11/18
VND830SP
Input Hysteresis Voltage
Input Low Level
On State Resistance Vs T
case
On State Resistance Vs V
CC
Input High Level
Openload On State Detection Threshold
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ron (mOhm)
Iout=2A
Vcc=8V; 13V & 36V
5
10
15
20
25
30
35
40
Vcc (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
Ron (mOhm)
Iout=5A
Tc= - 40°C
Tc=25°C
Tc=150°C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (oC)
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
Iol (mA)
Vcc=13V
Vin=5V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (°C)
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
3.2
3.4
3.6
Vih (V)
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (°C)
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
Vil (V)
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc (°C)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
Vhyst (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VND830MSP13TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND920P DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VND920 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VND92013TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VNDB1CHP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | CHIP
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參數(shù)描述
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VND830MSP-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND830MSPTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND830P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND830P-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 Double Ch High Side 36V VCC 65mOhm 9.5A RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
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