參數(shù)資料
型號: VND830PEP
英文描述: DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
中文描述: 雙通道高邊驅(qū)動器
文件頁數(shù): 9/17頁
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代理商: VND830PEP
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VND830ASP
HSD I/Os (Input levels compatibility) with the latch-up limit
of
μ
C I/Os.
-V
CCpeak
/I
latchup
R
prot
(V
OH
μ
C
-V
IH
-V
GND
) / I
IHmax
Calculation example:
For V
CCpeak
= - 100V and I
latchup
20mA; V
OH
μ
C
4.5V
5k
R
prot
65k
.
Recommended R
prot
value is 10k
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VND830SP DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND830LSP-E DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND830SP13TR 20 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
VND830 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
VND83013TR DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VND830PEP-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DOUBLE Ch Hi SIDE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND830PEPTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DOUBLE Ch Hi SIDE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND830PTR-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 Double Ch High Side 36V VCC 65mOhm 9.5A RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關(guān)閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VND830SP 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND830SP13TR 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube