參數(shù)資料
型號： VNL5050S5-E
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 電源管理
英文描述： POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8
封裝： ROHS COMPLIANT, SOP-8
文件頁數(shù)： 32/32頁
文件大小： 490K
代理商： VNL5050S5-E
VNL5050N3-E / VNL5050S5-E
Electrical characteristics
Doc ID 15917 Rev 4
3
Electrical characteristics
Values specified in this section are for Vsupply = VIN = 4.5 V to 5.5 V, -40 °C < Tj < 150 °C,
unless otherwise stated.
Table 6.
Power MOS section
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Vsupply Operating supply voltage
-
3.5
5
5.5
V
RON
ON-state resistance
ID = 2 A; Tj = 25 °C,
Vsupply = VIN = 5 V
50
m
Ω
ID = 2 A; Tj = 150 °C,
Vsupply = VIN = 5 V
100
VCLAMP Drain-source clamp voltage VIN = 0 V; ID = 2 A
41
46
52
V
VCLTH
Drain-source clamp
threshold voltage
VIN = 0 V; ID = 2 mA
36
V
IDSS
OFF-state output current
VIN = 0 V; VDS = 13 V;
Tj = 25 °C
03
A
VIN = 0 V; VDS = 13 V;
Tj = 125 °C
05
Table 7.
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
VSD
Forward on voltage
ID = 2 A; VIN = 0 V
-
0.8
-
V
Table 8.
Input section(1)
.
1.
Valid for VNL5050N3-E option (input and supply pins connected together)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IISS
Supply current from input pin
ON-state: Vsupply = VIN = 5 V;
VDS = 0 V
30
110
A
VICL
Input clamp voltage
IS = 1 mA
5.5
7
V
IS = -1 mA
-0.7
VINTH
Input threshold voltage
VDS = VIN; ID = 1 mA
1
3.5
V
Table 9.
Status pin(1)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
VSTAT
Status low output voltage
ISTAT = 1mA
0.5
V
ILSTAT
Status leakage current
Normal operation,
VSTAT = 5 V
10
A
CSTAT
Status pin input capacitance
Normal operation,
VSTAT = 5 V
100
pF
相關PDF資料
PDF描述
VNL5050N3TR-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3
VO27.0000000M0000001 VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT
VP06DDC1R0N999 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
VP06DDC1R0N001 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
VP06DDC1R0M999 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
VNL5050S5TR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC 19A OMNIFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNL5090N3TR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC OMNIFET III Low Side 13A 41V 90mOhm RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNL5090S5TR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC OMNIFET III Driver Low-Side ESD VIPower RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNL5160N3-E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET III fully protected low-side driver
VNL5160N3TR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side Driver analog currnt RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*