參數(shù)資料
型號： VNS3NV04D-E
廠商： 意法半導體
英文描述： OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
中文描述： OMNIFET二充分autoprotected功率MOSFET
文件頁數(shù)： 13/21頁
文件大小： 311K
代理商： VNS3NV04D-E
VNS3NV04D-E
Electrical specifications
13/21
Figure 15.
Static Drain-Source On
resistance Vs. Id
Figure 16.
Transfer characteristics
Figure 17.
Turn On current slope
Figure 18.
Turn On current slope
Figure 19.
Input voltage Vs. Input
charge
Figure 20.
Turn off Drain source voltage
slope
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Id (A)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
Rds(on) (mohms)
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=- 40oC
Vin=5V
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
Vin (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
Idon (A)
Vds=13.5V
Tj=150oC
Tj=25oC
Tj=-40oC
0
250
500
750 1000 1250 1500 1750 2000 2250 2500
Rg(ohm)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
di/dt(A/us)
Vin=5V
Vdd=15V
Id=1.5A
0
250
500
750 1000 1250 1500 1750 2000 2250 2500
Rg(ohm)
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
di/dt(A/usec)
Vin=3.5V
Vdd=15V
Id=1.5A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
Qg (nC)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Vin (V)
Vds=1V
Id=1.5A
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
2250
2500
Rg(ohm)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
dv/dt(V/usec)
Vin=5V
Vdd=15V
Id=1.5A
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PDF描述
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