型號: | VNV49N0413TR |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | SO |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N -通道|蘇 |
文件頁數(shù): | 8/14頁 |
文件大?。?/td> | 133K |
代理商: | VNV49N0413TR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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VND05B012Y | Dual Peripheral Driver |
VND05B011Y | Dual Peripheral Driver |
VND05BSP13TR | DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY |
VND05B(011Y) | Circular Connector; No. of Contacts:23; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:16; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Straight Plug; Insert Arrangement:16-99 |
VND05B(012Y) | Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:23; Connector Shell Size:16; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:16-99 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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VNV49N04-E | 功能描述:電源開關 IC - 配電 N-Ch 42V 49A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
VNW100N04 | 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 42A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
VNW100N04 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET SMART SWITCH TO-247 |
VNW100N04-E | 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 42A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
VNW35NV04 | 功能描述:電源開關 IC - 配電 VIPOWER RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |