參數(shù)資料
型號: VP0610E
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 110MA I(D) | TO-206AC
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 60V的五(巴西)直| 110MA(丁)|對206AC
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代理商: VP0610E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VP0610L P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
VP0610L P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-60V,夾斷電流-0.18A的P溝道增強型MOSFET晶體管)
VP0645N2 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | TO-39
VP0650N5 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | TO-220AB
VP0650N3 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VP0610L 功能描述:MOSFET 60V 0.18A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VP0610L-TR1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin TO-226AA T/R
VP0610T 功能描述:MOSFET 60V 0.12A 0.36W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VP0610T-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:
VP0645 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs