參數(shù)資料
型號(hào)： VQ1001J
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 38K
代理商： VQ1001J
VQ1001J/P
Vishay Siliconix
www.vishay.com
11-2
Document Number: 70219
S-04279
—
Rev. D, 16-Jul-01
Limits
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
a
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
GS
= 0 V, I
D
= 10 A
30
45
Gate-Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1 mA
0.8
1.5
2.5
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
16 V
100
Gate-Body Leakage
I
GSS
T
J
= 125 C
500
nA
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
10
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V, T
J
= 125 C
500
A
On-State Drain Current
b
I
D(on)
V
DS
= 10 V, V
GS
= 12 V
2
3.5
A
V
GS
= 5 V, I
D
= 0.2 A
1.2
1.75
Drain-Source On-Resistance
b
r
DS(on)
V
GS
= 12 V, I
D
= 1 A
0.8
1
T
J
= 125 C
1.5
2
Forward Transconductance
b
g
fs
V
DS
= 10 V, I
D
= 0.5 A
200
500
mS
Dynamic
Input Capacitance
C
iss
38
110
Output Capacitance
C
oss
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
33
110
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
8
35
Switching
c
Turn-On Time
t
ON
V
DD
= 15 V, R
= 23 , I
V
GEN
= 10 V, R
G
= 25
0.6 A
9
30
Turn-Off Time
t
OFF
14
30
ns
Notes
a.
b.
c.
For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.
Pulse test: PW
300 s duty cycle
Switching time is essentially independent of operating temperature.
VNDQ03
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VQ1001J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓30V，夾斷電流0.83A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
VQ1004J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.46A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
VQ1004J N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs
VQ1006P N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓90V，夾斷電流0.4A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
VQ1006P N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VQ1001P 功能描述:MOSFET QD 30V 0.53A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VQ1001P-2 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 0.83A 14-Pin PDIP
VQ1001P-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 0.83A 14-Pin SBCDIP 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:QUAD N-CH MOSFET SIDEBRAZE-14 30V 1.0 OHM (HOTS) LEAD FREE - Bulk 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Channel, 30v, 0.53A, 12MOHMS
VQ1004J 功能描述:MOSFET QD 60V 0.46A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VQ1004P 功能描述:MOSFET QD 60V 0.46A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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