參數(shù)資料
型號(hào)： VQ1001J
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓30V，夾斷電流0.83A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓30V的，夾斷電流0.83A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 57K
代理商： VQ1001J
VQ1001J/P
4
Siliconix
S-52426—Rev. C, 14-Apr-97
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted)
0.1
1
10
100
10
1
V
DD
= 25 V
R
G
= 25
V
GS
= 0 to 10 V
t
d(on)
Threshold Region
Capacitance
Gate Charge
Load Condition Effects on Switching
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
Q
g
– Total Gate Charge (pC)
–
I
D
C
–
V
G
t
t
d(off)
t
r
t
f
10
1
0.6
0.8
2.0
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
–55 C
0.1
0.01
100 C
25 C
T
J
= 150 C
120
100
80
0
0
10
50
60
40
20
30
40
20
6
5
4
0
0
80
400
3
2
160
240
320
1
24 V
10
50
100
100
10
1
V
DD
= 25 V
R
L
= 24
V
GS
= 0 to 10 V
I
D
= 1 A
500
400
300
0
0
100
500
200
100
200
300
400
150 C
25 C
T
J
= –55 C
I
D
– Drain Current (A)
Transconductance
t
g
f
Drive Resistance Effects on Switching
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
I
D
= 1 A
R
G
– Gate Resistance (
)
V
DS
= 7.5 V
300 s, 1% Duty Cycle
Pulse Test
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 15 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VQ1004J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.46A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
VQ1004J N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs
VQ1006P N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓90V，夾斷電流0.4A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
VQ1006P N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs
VQ2000J TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 240MA I(D) | DIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VQ1001P 功能描述:MOSFET QD 30V 0.53A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VQ1001P-2 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 0.83A 14-Pin PDIP
VQ1001P-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 0.83A 14-Pin SBCDIP 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:QUAD N-CH MOSFET SIDEBRAZE-14 30V 1.0 OHM (HOTS) LEAD FREE - Bulk 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Channel, 30v, 0.53A, 12MOHMS
VQ1004J 功能描述:MOSFET QD 60V 0.46A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VQ1004P 功能描述:MOSFET QD 60V 0.46A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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