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> VQ2000P TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 240MA I(D) | DIP PDF資料下載
參數(shù)資料
型號(hào):
VQ2000P
英文描述:
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 240MA I(D) | DIP
中文描述:
晶體管| MOSFET的| P通道| 60V的五(巴西)直| 240MA(?。﹟雙酯
文件頁(yè)數(shù):
1/2頁(yè)
文件大小:
121K
代理商:
VQ2000P
當(dāng)前第1頁(yè)
第2頁(yè)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VQ2004P
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP
VQ2006J
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP
VQ2006P
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP
VQ2001J
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors
VQ2001J
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-30V,夾斷電流-0.6A的P溝道增強(qiáng)型MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VQ2000-PW-02
制造商:SMC Corporation of America 功能描述:Subplate for VQ2 series solenoid valve
VQ2001J
功能描述:MOSFET Quad 30V 0.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VQ2001P
功能描述:MOSFET Quad 30V 0.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VQ2001P-2
制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 0.6A 14-Pin PDIP 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 30V 0.6A 14PDIP - Bulk
VQ2001P-E3
制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 0.6A 14-Pin PDIP 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 30V 0.6A 14PDIP - Bulk
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