參數(shù)資料
型號(hào)： VUB120-12NO1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Three Phase Rectifier Bridge with IGBT and Fast Recovery Diode for Braking System
中文描述： IGBT
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： VUB120-12NO1
2004 IXYS All rights reserved
2 - 2
VUB 120 / 160
4
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
I
R
V
R
= V
RRM
,
V
R
= V
RRM
,
I
F
= 150 A,
For power-loss calculations only
T
VJ
= 150°C
per diode
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 150°C
T
VJ
= 25°C
0.3
mA
mA
5
V
F
V
T0
r
T
R
thJC
R
thCH
V
BR(CES)
V
GE(th)
I
CES
1.46
V
0.87
4.0
V
m
0.6 K/W
0.2
K/W
V
= 0 V, I
C
= 1 mA
I
C
= 4 mA
V
CE
= 1200 V, T
VJ
=
25°C
1200
4.5
V
V
6.5
0.2
mA
mA
T
VJ
=
125°C
I
C
= 50 A
I
C
= 75 A
1
V
CEsat
V
GE
= 15 V,
VUB 120
VUB 160
2.1
2.2
V
V
t
SC
(SCSOA)
V
GE
= 15 V, V
CE
= 900 V, T
=
125°C,
R
G
= 15/10
,
non repetitive
V
= 15 V, V
= 1200 V, T
=
125°C,
Clamped Inductive load, L = 100 μH
R
G
= 15
R
G
= 10
V
CE
= 25 V, f = 1 MHz, V
GE
= 0 V
10
μs
RBSOA
VUB 120
VUB 160
150
200
A
A
C
ies
VUB 120
VUB 160
5.7
7.4
nF
nF
t
d(on)
t
d(on)
t
d(off)
t
d(off)
E
on
VUB 120
VUB 160
VUB 120
VUB 160
VUB 120
VUB 160
VUB 120
VUB 160
170
330
680
750
11
12
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
mJ
E
off
8
10
R
thJC
VUB 120
VUB 160
VUB 120
VUB 160
0.22 K/W
0.18 K/W
R
thCH
0.1
0.1
K/W
K/W
I
R
V
R
= V
RRM
, T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
F
= 30 A, T
VJ
= 25°C
For power-loss calculations only
T
VJ
= 150°C
I
F
= 50 A, -di
F
/dt = 100 A/μs, V
R
= 100 V
I
F
= 1 A, -di
F
/dt = 100 A/μs, V
R
= 30 V
0.5
mA
mA
0.75
1
V
F
V
T0
r
T
I
RM
t
rr
R
thJC
R
thCH
2.7
V
1.3
15
V
m
8
12
A
40
60
ns
0.9 K/W
0.3
K/W
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
VJ
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
R
F
V
CE
= 600 V, I
C
= 50/75 A
V
= 15 V, R
= 15/10
Inductive load; L = 100 μH
T
VJ
=
125°C
I
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PDF描述
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VUB120-16NOXT 功能描述:IGBT 模塊 Standard Rectifier Bridge+Brake Unit RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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