參數(shù)資料
型號： VUM24-05
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET Stage for Boost Converters
中文描述： 35 A, 500 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： VUM24-05
2000 IXYS All rights reserved
3 - 4
VUM 24-05
2
3
4
5
6
7
0
10
20
30
40
50
60
70
80
A
-50
0
50
100
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
s
g
fs
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
0.5
1.0
1.5
V
F
2.0
2.5
0
20
40
60
80
100
120
A
10
100
-di
F
/dt
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
μ
C
0
5
10
15
20
0.1
1
10
C
100
nF
0
100
200
Q
g
300
400
0
2
4
6
8
10
12
V
-50
0
50
100
150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
A/
m
s
V
DS
V
nC
°
C
BV
DSS
V
GS(th)
T
VJ
norm.
°
C
V
GS
norm.
T
V
J
R
DS(on)
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
A
I
D
V
DS
V
V
GS
I
D
V
T
VJ
= 25
°
C
T
VJ
= 125
°
C
V
V
GS
= 5 V
6 V
10 V
7 V
I
D
=18A
V
DSS
V
GS(th)
V
DS
= 250 V
I
D
= 18 A
I
G
= 10 mA
C
iss
C
oss
C
rss
Q
rr
T
VJ
=150
°
C
T
VJ
=100
°
C
T
VJ
= 25
°
C
I
F
= 37 A
I
F
= 74 A
I
F
= 37 A
I
F
= 18.5 A
I
F
A
I
D
typ.
max.
T
V
J
=100
°
C
V
R
= 350 V
Fig. 3 Typ. output characteristic
I
D
= f (V
DS
) (MOSFET)
Fig. 4 Typ. transfer characteristics
I
D
= f (V
GS
) (MOSFET)
Fig. 5 Typ. normalized
R
DS(on)
= f (T
VJ
) (MOSFET)
Fig. 6 Typ. normalized BV
= f (T
VJ
)
V
GS(th)
= f (T
VJ
) (MOSFET)
Fig. 7 Typ. turn-on gate charge
characteristics, V
GS
= f (Q
g
) (MOSFET)
Fig. 8 Typ. capacitances C = f (V
DS
),
f = 1 MHz (MOSFET)
Fig. 9 Typ. transconductance,
g
fs
= f (I
D
) (MOSFET)
Fig. 10 Forward current versus
voltage drop (Boost Diode)
Fig. 11 Recovery charge versus -di
F
/dt
(Boost Diode)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VUM25-05 Rectifier Module for Three Phase Power Factor Correction
VUM25-05E Rectifier Module for Three Phase Power Factor Correction
VUM33-05 Power MOSFET Stage for Boost Converters
VUM33-05N Power MOSFET Stage for Boost Converters
VUM85-05A Rectifier Module for Three Phase Power Factor Correction
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VUM24-05N 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 24 Amps 500V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
VUM25-05 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Rectifier Module for Three Phase Power Factor Correction
VUM25-05E 功能描述:MOSFET 25 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VUM33-05 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Power MOSFET Stage for Boost Converters
VUM33-05N 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 33 Amps 500V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*