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參數(shù)資料
| 型號： | VUM33-05 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET Stage for Boost Converters |
| 中文描述： | 47 A, 500 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | VUM33-05 |
2000 IXYS All rights reserved
3 - 4
VUM 33-05
2
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5
6
7
0
10
20
30
40
50
60
70
80
A
-50
0
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100
150
0.0
0.5
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2.0
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s
g
fs
0
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40
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0
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V
F
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2.5
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80
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120
A
10
100
-di
F
/dt
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
μ
C
0
5
10
15
20
0.1
1
10
C
100
nF
0
100
200
Q
g
300
400
0
2
4
6
8
10
12
V
-50
0
50
100
150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
A/
m
s
V
DS
V
nC
°
C
BV
DSS
V
GS(th)
T
VJ
norm.
°
C
V
GS
norm.
T
V
J
R
DS(on)
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
A
I
D
V
DS
V
V
GS
I
D
V
T
VJ
= 25
°
C
T
VJ
= 125
°
C
V
V
GS
= 5 V
6 V
10 V
7 V
I
D
=18A
V
DSS
V
GS(th)
V
DS
= 250 V
I
D
= 18 A
I
G
= 10 mA
C
iss
C
oss
C
rss
Q
rr
T
VJ
=150
°
C
T
VJ
=100
°
C
T
VJ
= 25
°
C
I
F
= 37 A
I
F
= 74 A
I
F
= 37 A
I
F
= 18.5 A
I
F
A
I
D
typ.
max.
T
V
J
=100
°
C
V
R
= 350 V
Fig. 3 Typ. output characteristic
I
D
= f (V
DS
) (MOSFET)
Fig. 4 Typ. transfer characteristics
I
D
= f (V
GS
) (MOSFET)
Fig. 5 Typ. normalized
R
DS(on)
= f (T
VJ
) (MOSFET)
Fig. 6 Typ. normalized BV
= f (T
VJ
)
V
GS(th)
= f (T
VJ
) (MOSFET)
Fig. 7 Typ. turn-on gate charge
characteristics, V
GS
= f (Q
g
) (MOSFET)
Fig. 8 Typ. capacitances C = f (V
DS
),
f = 1 MHz (MOSFET)
Fig. 9 Typ. transconductance,
g
fs
= f (I
D
) (MOSFET)
Fig. 10 Forward current versus
voltage drop (Boost Diode)
Fig. 11 Recovery charge versus -di
F
/dt
(Boost Diode)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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